SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数
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ID： |
AAD1034A46FC4E0992BE07C43CB5C290 |
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0.28 |
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4 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 20789—2000,MOS场效应晶体管热敏参数,快速筛选试验方法,Rapid screening test methods for,Thermal sensitive parameter of MOS field effect transistor,200070~20 发布200070-20 实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选方法,Rapid screening test methods for,thermal sensitive parameter of MOS field effect transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选的试验方法,1.2 适用范围,本规范适用了 MOS场效应晶体管（以下简称电阻器）热敏参数快速筛选,1.3 应用指南,本试验方法可以在相对短的时间内,采用功率应カ与参数组合测试的方法;按规定,的判据,剔除有潜在缺陷的器件,1.3.I 剔除有潜在缺陷及早期失效的器件,改善生产批的质量和可靠性,1.3.2 测试被试器件承受一定脉冲前后的热敏参数:漏源电流/dss、寄生反向二极管的,正向压降%D、正向直流跨导Gfs等值,以其变化量或变化值预测被试耗件的热稳定性,1.3.3 模拟被试器件实际使用时可以出现的浪涌电压、浪涌电流等应カ条件，以考核被,试器件承受电冲击的能力,1.3.4 保证被器件热阻的大小和范围,2引用文件,GB/T 4586-94半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管,3定义,本标准所使用的符号应符合GB/T 4586和以下规定,3.1 Gfs 正向直流跨导 common-source direct-current transconductance,在规定的漏一源电压和漏极电流下,其它端的连接为规定时,在25。￠的「一作温度ド,和（适用时）在ー个规定的较高工作温度下，漏极电流与栅一源电压之比,3. 2 寄生反向二极管的正向压降 forward voltage of parasitic reverse diode,漏源之间一般存在ー个寄生反向二极管。保证被测器件可靠截止，对寄生反向二极,管施加规定的正向电流时的正向压降,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布2000-10-20 实施,-1 -,SJ 20789—2000,4 一般要求,4.1 参数测试方法,除非另有规定,参数测试方法应符合GB" 4586的规定,4.2 测试与试验环境条件,a.测试与试验的环境温度为25±5モ,b.应避免静电放电和影响测试结果准确性的电磁干扰,4.3 试验设备,a.试验设备应经过校正,以保证满足第5章的要求,b.应使用交流稳压电源,4.4 试验顺序和方法,试验方法应按5.2规定,如实践证明有更好的试验顺序,可以进行调整,5详细要求,5.1 试验设备功能,本试验所需设备应具有以下功能,5.1.I 能按规定对被试器件施加一个电压、电流、脉宽可调的功率脉冲,5.1.2 在施加功率脉冲的前后，均能测试被试器件的/dss、％d、Gfs等热敏参数;热敏,参数的测试条件应能预先设定;施加功率脉冲结束至对热敏参数第2次釆样的时间间隔,和第2次釆样时间应足够短,以尽可能减小由于结温下降影响热敏参数的测试结果,并,具有良好的重复性,5.1.3 应具有足够的热敏参数测试量程和准确度等,5.1.4 根据被试器件设定的失效判据,具有失效报警、自动数据处理并显示和打印功能,5.1.5 当被试器件穿通或在施加功率脉冲损坏时,应具有自动保护能力,5.2 试验方法与步骤,5. 2.1确定施加条件。例如环境温度、功率脉冲的电压、脉冲电流持续时间,热敏参数,的测试条件等,5. 2.2确定失效判据。失效判据参量一般为/dss2、A%d和範fs,/DSS2为施加功率脉冲后的漏源电流的值,AKSD=KSD1-KSD2 (1),式中和%D2分别为施加功率脉冲前后漏源电压的值,貂FS为施加脉冲前后，正向直流跨导的变化率,y IGfsi-GzMoo% ..,GFS1,式中Gfsi和白FS2分别为施加功率脉冲前后正向直流跨导的值,5. 2.3插入被试器件,启动试验设备,5. 2.4按顺序进行/dssi、以及Gfsi测试,其中，〇ssi为加功率脉冲前的漏源电流的值,施加功率脉冲后,立即进行/DSS2、匕D2以及GfS2测试,5.2.5进行数据处理和打印,-2 -,SJ 20789—2000,5.3 规定条件,5.3.1 环境温度、湿度和管壳温度（若不同于环境温度时）,5.3.2 功率脉冲的电压、电流及脉冲持续时间,5.3.3 匕d的测试电流，d；，dss的测试电压んs； Gfs的测试电流る和测试电压ルs,5.4 注意事项,5.4.I 功率脉冲的前沿、后沿过渡时间不应对加温过程产生不良影响,5.4.2 功率脉冲结束瞬间至热敏参数第2次采样的时间间隔不应对测试结果产生不良影,响,5.4.3 功率脉冲的电压、电流值所确定的工作点不得超过被测器件规定的正偏安全工作,区。施加功率脉冲后,被试器件的最高结温点的温度不得超过被试器件的最高结温额定,值,以免引入新的失效机理,5.4.4 试验初始时间（尸ム），除另有规定外，被试器件的结温等于环境温度,5. 4.5漏极恒流源的内阻应远大于Rds（的,附加说明:,本标准由中华人民共和国信息产业部提出,本标准由中国电子技术标准化研究所归ロ,本标准由杭州电源技术研究所负责起草,本标准主要起草人:……
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